微弧氧化技術的研究已經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展歷程，特別是從交流微弧氧化技術出現(xiàn)以來取得了飛躍式的發(fā)展，并向實用化邁進了一大步。對鈦合金進行微弧氧化表面陶瓷化處理才剛剛起步不久，因此存在許多技術問題。

( 1 ) 研制高效節(jié)能電源。微弧氧化工藝在加工過程中單位面積耗能較大，這就限制了加工工件的面積。

( 2 ) 電參數(shù)對氧化膜組織結構及生長影響規(guī)律研究不足。微弧氧化膜的組織結構除受電解液體系的影響外，電參數(shù)也對其產(chǎn)生重要的影響。各脈沖電參數(shù)(電壓或電流密度、頻率及正負電流密度比) 對氧化膜組織結構的影響規(guī)律還沒有深入系統(tǒng)的研究；要獲得質(zhì)量較好的氧化膜，微弧氧化成膜初期、中期、后期對電參數(shù)要求不同，通過電參數(shù)的配合調(diào)節(jié)可以對組織結構進行優(yōu)化。比如對放電火花的控制，膜層可以獲得良好的表面粗糙度。

( 3 ) 電解液的組分在氧化膜形成過程中的作用機理研究不足。目前的研究多集中對氧化膜中氧化物及化學元素含量的分析及膜特性的研究，對膜層中氧化物的形成機理及化學元素在膜層形成過程中的作用研究的不夠。性能優(yōu)越的電解液體系配方基本是通過多次試驗得出的，還不能根據(jù)膜層的使用性能自由設計電解液配方。

( 4 ) 氧化膜的膜基結合問題。從實驗結果看，同鋁、鎂合金微弧氧化膜相比，鈦合金過渡層尺寸略大基體與過渡層之間有明顯分層現(xiàn)象，氧化膜與基體結合力較差。

( 5 ) 缺乏對大比例生成致密層的機理及工藝的研究。在氧化膜三層結構中只有致密層才是主要的工作層，減少疏松層的厚度，提高致密層在膜層中所占的比例，進而達到無疏松層的氧化膜，將是微弧氧化工藝的一個重要的研究方向。

總之，鈦合金微弧氧化技術盡管目前研究得不夠充分，但已經(jīng)顯現(xiàn)出該技術的巨大優(yōu)點及潛力，隨著該技術研究不斷深入，必將很快應用于生產(chǎn)各個領域。

參考文獻：

《焊接》2008年第5期——《專題綜述》——《鈦合金微弧氧化技術的研究》

《中國陶瓷工業(yè)》2007年第1期——《 鈦合金微弧氧化技術的研究現(xiàn)狀及展望 》

《材料導報》2006年11月第20卷專輯——《電解液和電參數(shù)對鈦合金微弧氧化的影響》

《潤滑與密封》2007年11月第32卷第11期——《鈦合金微弧氧化層的摩擦學性能研究》

《電鍍與涂裝》第24卷第6期——《微弧氧化技術的特點、 應用前景及其研究方向》

《中國礦業(yè)大學學報》2008年7月第37卷第4期——《鈦合金微弧氧化陶瓷層的結構研究》